U盤分為主控和閃存芯片，如果U盤的主控壞了，又沒有相同的主控代換，但是閃存芯片是好的，這就要用的專業(yè)的工具來讀取和分析芯片。

只要閃存不壞，數據就有恢復的希望。

閃存恢復用的專業(yè)的工具和專業(yè)的軟件。目前比較專業(yè)的要數PC3000和Flash Extractor。這兩種都是包括硬件和軟件的。軟件費用在1.5W左右。專業(yè)的技術人員才能分析和使用。

閃存芯片分為三類
SLC、MLC和TLC芯片
什么是SLC
SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式貯存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等運用。
SLC技能特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數據時通過對浮置閘極的電荷加電壓，然后透過源極，即可將所貯存的電荷消除，通過這樣的方法，便可貯存1個信息單元，這種技能能供給快速的程序編程與讀取，不過此技能受限于Silicon efficiency的問題，有必要要由較先進的流程強化技能(Process enhancements)，才干向上提高SLC制程技能。
什么是MLC
MLC英文全稱（Multi Level Cell——MLC)即多層式貯存。主要由東芝、Renesas、三星運用。
英特爾（Intel）在1997年9月最早開發(fā)成功MLC，其作用是將兩個單位的信息存入一個Floating
Gate（閃存存儲單元中寄存電荷的部分），然后運用不同電位（Level）的電荷，通過內存貯存的電壓控制精準讀寫。MLC通過運用許多的電壓等級，每個單元貯存兩位數據，數據密度比較大。SLC架構是0和1兩個值，而MLC架構能夠一次貯存4個以上的值，因而，MLC架構能夠有比較好的貯存密度。
與SLC比較MLC的優(yōu)勢
簽于現在市場主要以SLC和MLC貯存為主，我們多了解下SLC和MLC貯存，而且能夠運用老舊的出產程備來提高產品的容量，無須額定出資出產設備，具有本錢與良率的優(yōu)勢。
與SLC比較較，MLC出產本錢較低，容量大。如果通過改善，MLC的讀寫功能應該還能夠進一步提高。
與SLC比較MLC的缺陷
MLC架構有許多缺陷，首先是運用壽命較短，SLC架構能夠寫入10萬次，而MLC架構只能接受約1萬次的寫入。
其次就是存取速度慢，在現在技能條件下，MLC芯片理論速度只能到達6MB左右。SLC架構比MLC架構要快速三倍以上。
再者，MLC能耗比SLC高，在相同運用條件下比SLC要多15%左右的電流耗費。
盡管與SLC比較，MLC缺陷許多，但在單顆芯片容量方面，現在MLC仍是占了肯定的優(yōu)勢。因為MLC架構和本錢都具有肯定優(yōu)勢，能滿意2GB、4GB、8GB乃至更大容量的市場需求。